深入分析电子结构:教程汇总加文献实例

先前刘锦程博士在VASPKIT公众号和他的个人博客推出了一系列电子结构计算相关教程，如下所示：

电子结构计算基础：

前线分子轨道理论

VASPKIT 1.2 支持全晶系K-Path自动生成

电子结构计算系列教程：

深入分析能带结构(二)-VASPKIT能带图计算

深入分析能带结构(三)-Origin画能带图

深入分析能带结构(四)-高通量生成能带图pymatgen

深入分析能带结构(五)-魔角石墨烯的构建与其能带结构浅析

深入分析能带结构(六)-对赝原子做投影，电子化合物(下)

深入分析能带结构(七)-VASPKIT计算有效质量

深入分析能带结构(八)-缺陷态能带结构

深入分析能带结构(九)-3D能带图绘制

深入分析能带结构(十)-杂化泛函能带

深入分析能带结构(十一)-自旋轨道耦合

深入分析能带结构(十二)-跃迁偶极矩计算

学术之友公众号也推送了一系列电子结构方面的原创教程，如下所示：

原胞转化方法以及标准原胞在计算中的重要性

五种方法生成能带结构计算的高对称点

VASP计算二维材料的载流子迁移率

有效质量计算软件emc.py入门教程

effmass程序: 计算各种定义的有效质量

band2d.py程序: 二维材料的2D能带图绘制以及有效质量计算软件

视频教程: 有效质量计算

有效质量详细教程

再谈载流子有效质量计算

VASP计算杂化能带详细步骤教程

VASPKIT中轨道投影能带反折叠功能在二维异质结中的应用案例

最近的一篇发表在J. Phys. Chem. Lett.期刊上的Perspective文章"Band-Edge Orbital Engineering of Perovskite Semiconductors for Optoelectronic Applications"可以作为实验和理论方向新手入门学习电子结构分析的素材文献。

先前的材料研究大多聚焦在结构-组分-性能之间的关系，这篇文献的作者建议关注半导体材料的轨道-性能关系。他们首先以最简单的二元极性半导体为例，以前线分子轨道理论为基础，阐述了如何通过最简单的电负性、化学键长、原子轨道能、轨道相互作用等基本概念出发理解半导体材料的带隙，有效质量等性质趋势。基于这种化学直觉方法，作者给出了具体的钙钛矿半导体材料实例来分析它们的带隙趋势。感兴趣的可以自行下载阅读！

https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.0c03816